El Fabricante de Paneles de Konstanz de Konstanz, Longi, Ha Evaluado El Impacto de la obtenencia de Gettering en Lestes en Czochralski Cultivadas en Lingotes de Silicio de Tipo P Dopados Con Galio y Descubierto Qe la DensiDad de Defectos de Defectos de Las Centracioneses de InpureSiS de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IgureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSiSen de IpureSeSen de IpureSeSen a La Masa Fundida, Que se Observan en el Casa de Concentaciones de Hierro Intersticial.
Un Grupo de Investigadores del Universidad de Konstanz en Alemania y Fabricante de Módulos Solares Chinos Longi Han Investigado el ImpactO de las concentraciones de impureza causadas por la obtenida de la Estabilidad A LARGO PLAZO DE LA VIDA Útil del Portador de Carga en El Silicio Recargado de Czochralski (RCZ-Si).
Gettering SE USA Ampliamente en la Industria de Fabricación Fotovoltaica. Implicación tres pasos y se utiliza durante el Crecimento de los Cristales para eliminar contactos y otras de los defectos en las obleas. A Través de Este Proceso, Las Impurezas Se Liberan Inicialmental en una solución Sólida y Luego Sufren DiFusión A Través del Silicio. Finalme, Están Atrapados en un área lejos de las regiones de Circuito Active de la Oblea.
Gettering Ya Está Integrado en la Mayoría de Las Células Solares Reales, A Través de la DiFusión de Fósforo en Percepción O Perx Dispositivos, Así Como en Al-SF Células. También está incrusado en Topcon Células Solares, Aunque Su Efectividad Varía Mucho y en Células de Heterounión de Silicio cílae Se Puede utilizar como pretratamiento para mejorar la calidad de los sustratos de silicio.
«En la investigación de Nuestra, SE Investigó el Material de Vanguardia del Proceso Industrial de Recarga de Fundición de Czochralski Conppecto A Su Calidad», Dijo Joshua Kamphues, El Autor Director de La Investigación, Joshua Kamphues Revista Fotovoltaica. “Por lo tanto, la estabilidad un Largo Plazo de la Calidad del material se analizó en términos de Vida útil del portador de carga para las el oblasas de lingotes posteriores al extraídos con concentajes de impureza variables. Por la presente, Podríamos Demostrar Cómo el Proceso de Crecimiento del Cristal Puede Afectar la Extensión de degradacia en el material Real de la Oblea Industrial «.
En el Papel «El ImpactO de la obtenencia en letidos en lingotes de silicio de tipo p dopados con czochralski dopados con czochralski con recarga de fusón«, Publicado en Materiales de Energía Solar y Células SolaresKamphues y su equipón explicaron que usaron un estándar de densidad de defectos equivalentes de por Vida conocido Δnleq para cuantífico el impacto de la cinética de defectos observados durante Degradacia inducida por la temperatura ligera y elevada (Letárgico).
Con El TIempo, Létada Puede Causar Pérdidas de Rendimiento Significativas en Los Módulos Fotovoltaicos en el Campo. El problema fue reconocido por primera vez alrededor de 2012; La Industria no sabía la causa exacta de detrás de este, Pero ha sido rápidamete desarrollar Estategias de Mitigación.
Para su análisis, Los científicos utilizaron obleas proporcionadas por longi, que se cortaron de lingotes obtenidos a Través de dos procesos de crecimiento rcz-si diferentes, durante cuales se extrajeron nueve lingotes coniferentes ypesores de ypesm. La Capa de Pasivació se depositó un Través de la Deposicióe de Vapor Químico Mejorado por Plasma (Pecvd).
“Todas Las Obleas Fueron Despeedidas en un Horno de Cinturón Industrial. SE utilizaron diferentes temperaturas establecidas para lograr una temperatura máxima de miscedra medida a 800 ° C«>monitoreado utilizando un término de tipo k empujado al centro de la mudra «, Enfatizó el logo de investigación, y señaló que durante todo el proceso de obtenencia de la obtennón monitoreó lasdes de impureza durante la recarga de recarga de feacusión de lasd de las concentraciones de concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración de la concentración ( ).
«Un desafío particular fue que solo podíamos rastrear indirectamento las concentraciones de impurezas elementales de nuestro material, excepto la concentración de hierro, que determinarse», explicó kamphues. “Por lo tanto, el alcalde extensión letida para los lingotes extraídos posteriormente podría correlacionario con mayores las concentraciones de impureza, pero no con una imprena especial. El Hecho de Que un Paso Obteniendo el Contenido Intersticial de Fe, Pero no Maestra ningún Efecto en la extensión, conduce a la conclusión de que fre en sí no está directamé involucrado en el proceso letido «.
Además, otros experimentos con tratamientos isogenerativos mostraron que la cinétesa letida era diferente para las el obleas en diferentes posiciones de lingoteo. “Fue Sorprendente para nosotros que para el tratamiento con inyectivo iso, la cinética letida fuera la Misma para las el obleas de DiFerentes lingotes un pesar de la extensión significativo cambia de letido. Por lo tanto, podríamos expiostar que el alcalde nivel de impureza en nuestras muestras solo afecta la extensión de letidos, pero no la cinética letida ”, concluyó kamphues.
También explícó que, Con el Cambio Hacia real Cz-Si de Tipo N, La Industria Está Muy Interesada en el Comportamiento de Estabilidad A LARGO PLAZO DE ESTE TUPO DE MATERIAL. «Realmento Estamos Investigando Material de Tipo n de Tipo Fundido Con Varios Elementos Dopantes E Informaremos Sobre Este Tema en la Próxima Conferencia Siliconpv en Abril», Concluyó.
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